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FDMS5672

ON FDMS5672

N 通道60 V10.6A(Ta),22A(Tc)4V @ 250µA2.5W(Ta),78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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FDMS5672
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDMS5672 is a PowerTrench MOSFET designed for high-performance power switching applications. It is an N-channel MOSFET with a low on-resistance and is designed to handle high currents and voltages efficiently.

Switching applications in automotive, industrial, and consumer electronics

Features

UltraFET™ Series


  • At Vgs = 10V,=10.6A, Maxds(o n) = 11.5mQ.

  • At Vgs = 6 V, Id = 8A, Maxds(o n) = 16.5mQ.

  • Qg = 32nC at Vgs = 10VTYP Qg = 32nC at Vgs = 10VTYP Qg = 32nC at Vgs = 10V

  • 'Low Miller Charge' is a term used to describe a situation in which

  • Efficie ncy at High Freque ncies Optimized

  • RoHS Complia nt is an acronym for "Restriction of Hazardous Substances" (RoHS).



Surface Mount Mounting Type

Applications


DC - DC Conversion



产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A(Ta),22A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 6V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 11.5 毫欧 @ 10.6A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2800 pF @ 30 V
最大功率耗散: 2.5W(Ta),78W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP(5x6),Power56
封装/外壳: 8-PowerWDFN
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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