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FDMS86200

ON FDMS86200

N 通道150 V9.6A(Ta),35A(Tc)4V @ 250µA2.5W(Ta),104W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features

PowerTrench® Series


? Shielded Gate MOSFET Technology

? Max rDS(on) = 18 m at VGS = 10 V, ID = 9.6 A

? Max rDS(on) = 21 m at VGS = 6 V, ID = 8.8 A

? Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high

efficiency

? MSL1 robust package design

? 100% UIL tested

? RoHS Compliant


Surface Mount Mounting Type

Applications

? DC?DC Conversion


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.6A(Ta),35A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 6V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 18 毫欧 @ 9.6A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2715 pF @ 75 V
最大功率耗散: 2.5W(Ta),104W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

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