ON NTLJF4156NT1G
N 通道30 V2.5A（Tj）1V @ 250µA710mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
￥1.58
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Power MOSFET and Schottky Diode30 V, 4.6 A, µCool™ N−Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmWDFN Package
Features
Tape & Reel (TR) Package
NTLJF4156NT1G N-channel MOSFET is based on an original, unique vertical structure. NTLJF4156NT1G MOSFET results in a dramatic reduction in the on-resistance. NTLJF4156NT1G ON Semiconductor is utilized in the switching power applications such as Load/Power Switch for Portables, Load/Power Switch for Computing, DC to DC Conversion.
Surface Mount Mounting Type
Applications
Low VF Schottky
Co-Packaged MOSFET and Schottky
Low Profile (< 0.8mm)
RDS(on) Rated at Low VGS=1.5 V
WDFN Package Provides Exposed Drain Pad
NTLJF4156NT1G Applications
Load/Power Switch for Computing
Load/Power Switch for Portables
DC to DC Conversion
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Tj）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.5V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 70 毫欧 @ 2A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 427 pF @ 15 V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
最大功率耗散: 710mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WDFN（2x2）
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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