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NTLJD4116NT1G

ON NTLJD4116NT1G

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)30V2.5A70 毫欧 @ 2A,4.5V1V @ 250µA

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NTLJD4116NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

Tape & Reel (TR) Package

ROHM N-channel and P-channel MOSFETs  NTLJD4116NT1G feature low on-resistance and high switching speed. It has a wide lineup from small signal MOSFETs to power MOSFETs and can be used in various applications.

 

Surface Mount Mounting Type

Applications


? WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal

Conduction

? 2x2 mm Footprint Same as SC?88

? Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package

? 1.5 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic

Level

? Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments

? This is a Pb?Free Device


NTLJD4116NT1G     Applications


? DC?DC Converters (Buck and Boost Circuits)

? Low Side Load Switch

? Optimized for Battery and Load Management Applications in

Portable Equipment such as, Cell Phones, PDA’s, Media Players, etc.

? Level Shift for High Side Load Switch



产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 70 毫欧 @ 2A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 427pF @ 15V
最大功率: 710mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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