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NTLJF3117PT1G

ON NTLJF3117PT1G

P 通道20 V2.3A(Ta)1V @ 250µA710mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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NTLJF3117PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Power MOSFET and Schottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm,µCool™ Package

Features

µCool™ Series
a continuous drain current (ID) of -3.3A
a drain-to-source breakdown voltage of -20V voltage
the turn-off delay time is 19.8 ns
based on its rated peak drain current 20A.
a 20V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
NTLJF3117PT1G applications of single MOSFETs transistors.

  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
产品属性
全选
型号系列: µCool™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 1.8V,4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 100 毫欧 @ 2A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 531 pF @ 10 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
最大功率耗散: 710mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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