所有分类
联系我们
中文
首页
所有分类
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STL6N3LLH6
STL6N3LLH6

ST STL6N3LLH6

N 通道30 V13A（Tc）1V @ 250µA（最小）2.4W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

比较
STMicroelectronics
STL6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
STL6N3LLH6 数据表(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

￥3.56

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

Features

DeepGATE™, STripFET™ VI Series


? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss


PowerFlat™ (2x2) Supplier Device Package

Applications


? Switching applications



相似产品

STL40DN3LLH5

STMicroelectronics

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56

￥13.80比较

STL65DN3LLH5

STMicroelectronics

MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT

￥4.65比较

STL40C30H3LL

STMicroelectronics

MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT

￥2.65比较

STL3NM60N

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

￥6.30比较

STL6N2VH5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 20V POWERFLAT

￥6.59比较

STL56N3LLH5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT

￥5.15比较
产品属性
全选
型号系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 25 毫欧 @ 3A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA（最小）
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 283 pF @ 24 V
最大功率耗散: 2.4W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（2x2）
封装/外壳: 6-PowerWDFN
相似零件：0
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

热门零件号

查看全部

实时新闻

查看全部

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

热门产品

01 / 02
10

所有产品零件号 0 - Z