ST STF6N95K5
N 通道950 V9A（Tc）5V @ 100µA25W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较STF6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
￥2.40
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency
Features
SuperMESH5™ Series? Industry’s lowest RDS(on) * area
? Industry’s best figure of merit (FoM)
? Ultra-low gate charge
? 100% avalanche tested
? Zener-protected
Through Hole Mounting Type
Applications
? Switching applications
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: SuperMESH5™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.25 欧姆 @ 3A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 100µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 450 pF @ 100 V
最大功率耗散: 25W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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