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STN1NK80Z

ST STN1NK80Z

N 通道800 V250mA(Tc)4.5V @ 50µA2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The SuperMESH series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh products

Features

SuperMESH™ Series


  • Extremely high dv/dt capability

  • ESD improved capability

  • 100% Avalanche tested

  • New high voltage benchmark

  • Gate charge minimized


Surface Mount Mounting Type

Applications


  • AC Adaptors

  • Battery chargers

  • Switch-mode power supplies

  • Broadband fixed-line access

  • Datacom module

  • Wired networking

Wireless infrastructure


产品属性
全选
型号系列: SuperMESH™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 16 欧姆 @ 500mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 160 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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