ST STN1NF20
N 通道200 V1A（Tc）4V @ 250µA2W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较STN1NF20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
￥2.68
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
Features
STripFET™ II Series100% avalanche tested
Low gate charge
Exceptional DV/DT capability
Applications
General-purpose amplifier
Switching applications
Power management
Industrial
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: STripFET™ II
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.5 欧姆 @ 500mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 90 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
热门产品
01 / 02
10
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247