ST STD5N52U
N 通道525 V4.4A（Tc）4.5V @ 50µA70W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较STD5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
￥2.22
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using UltraFASTmesh™ technology, which combines the advantages of reduced onresistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode.
Features
UltraFASTmesh™ Series100% avalanche tested
Outstanding dv/dt capability
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very low RDS(on)
Extremely low trr
Applications
High voltage inverters specific fo LCD TV
Lighting full bridge topology
Motor control
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: UltraFASTmesh™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 525 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 529 pF @ 25 V
最大功率耗散: 70W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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