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HUFA75344P3_F085

ON HUFA75344P3_F085

N 通道55 V75A(Tc)4V @ 250µA285W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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HUFA75344P3_F085
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The HUFA75339S3S is MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK manufactured by FAIRCHILD. The HUFA75339S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail.

The HUFA75343S3S is MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK manufactured by FSC. The HUFA75343S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail.

Features

Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
55 V Drain to Source Voltage (Vdss)
75A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8mOhm @ 75A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
210 nC @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
3200 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
285W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 8 毫欧 @ 75A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3200 pF @ 25 V
最大功率耗散: 285W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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