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HUFA75344G3

Fairchild HUFA75344G3

N 通道55 V75A(Tc)4V @ 250µA285W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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HUFA75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

HUFA75339P with pin details manufactured by FAIRCHILD. The HUFA75339P is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.

The HUFA75343S3S is MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK manufactured by FSC. The HUFA75343S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail.

Features

UltraFET™ Series
a continuous drain current (ID) of 75A
a drain-to-source breakdown voltage of 55V voltage
the turn-off delay time is 46 ns

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
HUFA75344G3 applications of single MOSFETs transistors.

  • LCD/LED TV
  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 8 毫欧 @ 75A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3200 pF @ 25 V
最大功率耗散: 285W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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