ON FDW256P
P 通道30 V8A（Ta）3V @ 250µA1.3W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDW256P
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
￥2.55
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
The FDW254P is MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP manufactured by FAIRCHILD. The FDW254P is available in 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP, P-Channel 20V 9.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP, Trans MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-Pin TSSOP T/R.
The FDW254PZ is MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP manufactured by KEXIN. The FDW254PZ is available in 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP, P-Channel 20V 9.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP.
Features
PowerTrench® Series· Battery protection
· DC/DC conversion
· Power management
· Load switch
Surface Mount Mounting Type
Applications
· –8 A, –30 V RDS(ON) = 13.5 mW @ VGS = –10 V
RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –4.5 V
· Extended VGSS range (±25V) for battery applications
· High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
· Low profile TSSOP-8 package
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 13.5 毫欧 @ 8A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2267 pF @ 15 V
最大功率耗散: 1.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSSOP
封装/外壳: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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