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FDR840P

ON FDR840P

P 通道20 V10A(Ta)1.5V @ 250µA1.8W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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onsemi
FDR840P
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDR838P is MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 manufactured by FAIRCHILD. The FDR838P is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8, P-Channel 20V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.

FDR838P-NL with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDR838P-NL is available in SOP-8 Package, is part of the IC Chips.

Features

Bulk Package


  • -10 A, -20 V. RDS(on) = 12?@ VGS = -4.5 V  

                           RDS(on) = 17.5?@ VGS = -2.5 V.

  • Fast switching speed.

  • High-performance trench technology for extremely low RDS(on)

  • High power and current handling capability



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power management

  • Load switch

  • Battery protection

  • Multifunction Printers

  • Fan Motor Drives

  • Enterprise Copiers


产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 2.5V,4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 12 毫欧 @ 10A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±12V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4481 pF @ 10 V
最大功率耗散: 1.8W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-8
封装/外壳: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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