ON FDMS86150ET100
N 通道100 V16A（Ta），128A（Tc）4V @ 250µA3.3W（Ta），187W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较FDMS86150ET100
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
￥20.60
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process thant hasbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
16A (Ta), 128A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.85mOhm @ 16A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
62 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4065 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.3W (Ta), 187W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），128A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 4.85 毫欧 @ 16A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4065 pF @ 50 V
最大功率耗散: 3.3W（Ta），187W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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