Infineon IPB027N10N5ATMA1
N 通道100 V120A（Tc）3.8V @ 184µA250W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
￥26.25
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB027N10N5ATMA1 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Features
OptiMOS™ Series?Perfect for high-frequency switching and synchronization.
?Amazing gate charge x Rdq(product) (FOM)
?Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm
?Normal level, N-channel
?Avalanche-proofed to the nth degree
?Plating without pt>; RoHS compliance
?Qualified for target applications according to JEDEC*1
?According to IEC61249-2-21, it is halogen-free.
Applications
Switching applications
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.7 毫欧 @ 100A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 184µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 10300 pF @ 50 V
最大功率耗散: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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