Renesas UPA2815T1S-E2-AT
P 通道30 V21A（Tc）1.5W（Ta）150°C（TJ）表面贴装型
比较UPA2815T1S-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
￥1.43
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
21A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
11mOhm @ 21A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
47 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1760 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.5W (Ta) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 11 毫欧 @ 21A，10V
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1760 pF @ 10 V
最大功率耗散: 1.5W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HWSON（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerWDFN
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.是Renesas Electronics Corporation在美国的子公司，负责在北美市场的设计、开发、销售和技术支持。总部位于加利福尼亚州圣何塞。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
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国家: 105
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