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70V659S12DRGI

Renesas 70V659S12DRGI

128K x 3612 ns-40°C ~ 85°C(TA)

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70V659S12DRGI
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 70V659S12DRGI is a high-speed 128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM designed to be used as a stand-alone Dual-Port RAM or as a combination MASTER/ SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 72-bit or wider memory system applications results in full-speed, error-free operation without the need for additional discrete logic. An automatic power down feature controlled by the chip enables (either CE0 or CE1) permit the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.

Features

Volatile Memory Type
Package / Case: PQFP
208 Pins
Operating Supply Voltage:3.3V
I/O Type: COMMON

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Integrated Device Technology (IDT)
70V659S12DRGI Memory applications.

  • eSRAM
  • mainframes
  • multimedia computers
  • networking
  • personal computers
  • servers
  • supercomputers
  • telecommunications
  • workstations,
  • DVD disk buffer
产品属性
全选
包装: 托盘
部件状态: 在售
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 4.5Mb
存储器组织: 128K x 36
存储器接口: 并联
单词、页面的写入周期时间: 12ns
访问时间: 12 ns
电源电压: 3.15V ~ 3.45V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 208-BFQFP
供应商器件封装: 208-PQFP(28x28)
Renesas Electronics America Inc.

Renesas Electronics America Inc.

Renesas Electronics America Inc.是Renesas Electronics Corporation在美国的子公司,负责在北美市场的设计、开发、销售和技术支持。总部位于加利福尼亚州圣何塞。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z