Infineon IPB017N08N5ATMA1
N 通道80 V120A（Tc）3.8V @ 280µA375W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
￥24.48
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB017N08N5ATMA1 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Features
OptiMOS™ SeriesStandard N-channel MOSFET IPB017N08N5ATMA1 in SOT404 package using TrenchMOS technology. The product has been designed and complies with the AEC Q101 standard and is suitable for high-performance automotive applications.
Surface Mount Mounting TypeApplications
IPB017N08N5ATMA1 Applications
12V24V and 48V Automotive systems
Electric and electro-hydraulic power steering Motors, lamps and solenoid control Start-Stop micro-hybrid applications Transmission control
Ultra high performance power switching
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.7 毫欧 @ 100A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 280µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 16900 pF @ 40 V
最大功率耗散: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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