ON FCB290N80
N 通道800 V17A（Tc）4.5V @ 1.7mA212W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FCB290N80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
￥27.27
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Features
SuperFET® II SeriesRDS(on) = 0.259 Ω (Typ.)
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Eoss (Typ. 5.4 uJ @ 400V)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 240 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant
Applications
AC-DC Power Supply
LED Lighting
Flat Panel Display TV
ATX
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: SuperFET® II
包装: 卷带（TR）
部件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 290 毫欧 @ 8.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 1.7mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3205 pF @ 100 V
最大功率耗散: 212W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK（TO-263）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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