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STF9N60M2

ST STF9N60M2

N 通道600 V5.5A(Tc)4V @ 250µA20W(Tc)150°C(TJ)通孔

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STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

Features

MDmesh™ II Plus Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
600 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.5A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
780mOhm @ 3A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
10 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±25V Vgs (Max)
320 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: MDmesh™ II Plus
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 780 毫欧 @ 3A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 320 pF @ 100 V
最大功率耗散: 20W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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制造商: 950

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