ST STF8NM50N
N 通道500 V5A（Tc）4V @ 250µA20W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较STF8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
￥0.91
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
MDmesh™ II Series100% avalanche tested
Low input capacitances and gate charge
Low gate input resistance
Applications
General-purpose amplifier
Switching applications
Power management
Industrial
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: MDmesh™ II
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 790 毫欧 @ 2.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 364 pF @ 50 V
最大功率耗散: 20W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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