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NTP52N10

ON NTP52N10

N 通道100 V60A(Ta)4V @ 250µA214W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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onsemi
NTP52N10
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The NTP45N06LG is MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB manufactured by ON. The NTP45N06LG is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB, N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Through Hole TO-220AB, Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube.

NTP4806NG with circuit diagram manufactured by ON. The NTP4806NG is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.

Features

Tube Package


  • Logic-Level Gate Drive

  • Surface Mount

  • Advanced Process Technology

  • Ultra Low On-Resistance

  • Dynamic dv/dt Rating

  • Fast Switching

  • Fully Avalanche Rated

  • Lead-Free



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Induction furnaces

  • Arc furnaces and arc welders

  • Steel rolling mills

  • Large motors with periodic loading

  • Thyristor drives

  • Railway traction which is mostly through d.c. drives


产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 30 毫欧 @ 26A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3150 pF @ 25 V
最大功率耗散: 214W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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