ON NTP22N06
N 通道60 V22A（Ta）4V @ 250µA60W（Tj）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较NTP22N06
MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
￥0.79
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
The NTP18N06 is MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB manufactured by ON. The NTP18N06 is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB, N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Through Hole TO-220AB.
NTP-2000 with EDA / CAD Models manufactured by NFI. The NTP-2000 is available in QFP Package, is part of the IC Chips.
Features
Tube PackageCurrent Rating: 22 A
Power Dissipation-Max: 60W Tj
Rise Time: 39 ns
Drain-source On Resistance-Max: 0.06Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM): 66A
Non-RoHS Compliant
Contains Lead
Applications
Power Supplies
Converters
Power Motor Controls
Bridge Circuits
New Energy Vehicle
Photovoltaic Generation
Wind Power Generation
Smart Grid
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 60 毫欧 @ 11A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 700 pF @ 25 V
最大功率耗散: 60W（Tj）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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