ON NTHD4P02FT1G
P 通道20 V2.2A（Tj）1.2V @ 250µA1.1W（Tj）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NTHD4P02FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
无数据表
￥1.03
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of -2.2A
a drain-to-source breakdown voltage of -20V voltage
the turn-off delay time is 33 ns
based on its rated peak drain current 9A.
a 20V drain to source voltage (Vdss)
ChipFET™ Supplier Device Package
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
NTHD4P02FT1G applications of single MOSFETs transistors.
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 最后售卖
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A（Tj）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 2.5V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±12V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 300 pF @ 10 V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
最大功率耗散: 1.1W（Tj）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: ChipFET™
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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