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NTHD3101FT1G

ON NTHD3101FT1G

P 通道20 V3.2A(Tj)1.5V @ 250µA1.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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NTHD3101FT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


  • Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode

  • 40% Smaller than TSOP?6 Package

  • Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics

  • Independent Pinout to each Device to Ease Circuit Design

  • Trench P?Channel for Low On-Resistance

  • Ultra Low VF Schottky

  • Pb?Free Packages are Available



ChipFET™ Supplier Device Package

Applications


  • Li?Ion Battery Charging

  • High Side DC?DC Conversion Circuits

  • High Side Drive for Small Brushless DC Motors

  • Power Management in Portable, Battery Powered Products


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 最后售卖
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A(Tj)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 1.8V,4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 680 pF @ 10 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
最大功率耗散: 1.1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: ChipFET™
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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