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NTD3055-094T4G

ON NTD3055-094T4G

N 通道60 V12A(Ta)4V @ 250µA1.5W(Ta),48W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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onsemi
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

Features

Tape & Reel (TR) Package
a continuous drain current (ID) of 12A
a drain-to-source breakdown voltage of 60V voltage
the turn-off delay time is 25.2 ns
based on its rated peak drain current 45A.
a threshold voltage of 2.9V

DPAK Supplier Device Package

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
NTD3055-094T4G applications of single MOSFETs transistors.

  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 94 毫欧 @ 6A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 450 pF @ 25 V
最大功率耗散: 1.5W(Ta),48W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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