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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
NTD2955T4G
NTD2955T4G

ON NTD2955T4G

P 通道60 V12A（Ta）4V @ 250µA55W（Tj）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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NTD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the Avalanche and Commutation Modes.Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls.These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Avalanche Energy Specified

  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

  • Designed for Low?Voltage, High?Speed Switching Applications and to Withstand High Energy in the Avalanche and Commutation Modes

  • NVD and SVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

  • Pb?Free and RoHS Compliant



DPAK Supplier Device Package

Applications


  • Switching Applications

  • New Energy Vehicle

  • Photovoltaic Generation

  • Wind Power Generation

  • Smart Grid


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产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 180 毫欧 @ 6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 750 pF @ 25 V
最大功率耗散: 55W（Tj）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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