ON FDY302NZ
N 通道20 V600mA（Ta）1.5V @ 250µA625mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
￥0.68
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This Single N-Channel MOSFET has been designed using an advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5V.
Features
PowerTrench® SeriesAdvanced power trench process
ESD protection diode
RoHS compliant
Applications
Li-lon battery pack
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 300 毫欧 @ 600mA，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±12V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 60 pF @ 10 V
最大功率耗散: 625mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-89-3
封装/外壳: SC-89，SOT-490
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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