ON FDT86246
N 通道150 V2A（Ta）4V @ 250µA2.2W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
￥2.35
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Features
PowerTrench® Series
Max rDS(on) = 236 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2 A
Max rDS(on) = 329 mΩ at VGS = 6 V, ID = 1.7 A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Fast switching speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Surface Mount Mounting Type
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Load Switch
Primary Switch
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 236 毫欧 @ 2A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 215 pF @ 75 V
最大功率耗散: 2.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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