联系我们
中文
FDS6682

ON FDS6682

N 通道30 V14A(Ta)3V @ 250µA1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

比较
onsemi
FDS6682
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥2.82

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(ON) in a small package.

Features

PowerTrench® Series


  • Low gate charge (22 nC typical)

  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)

  • High power and current handling capability

  • 14 A, 30 V

  • RDS(ON) = 7.5 m|? @ VGS = 10 V

  • RDS(ON) = 9.0 m|? @ VGS = 4.5 V



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • This product is general usage and suitable for many different applications

  • DC/DC Converters

  • Small motor control

  • Solar inverters

  • Automotive applications


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 7.5 毫欧 @ 14A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2310 pF @ 15 V
最大功率耗散: 1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z