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FDFS2P106A

ON FDFS2P106A

P 通道60 V3A(Ta)3V @ 250µA900mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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FDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDFS2P106A combines the exceptional performance of PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low on-state resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.

Features

PowerTrench® Series


  • –3.0 A, –60V

  • VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)

  • Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount SO-8 package

  • Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 110 毫欧 @ 3A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 714 pF @ 30 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
最大功率耗散: 900mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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