ON FDD86369-F085
N 通道80 V90A（Tc）4V @ 250µA150W（Tj）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
￥10.70
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 90A
a 80V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
FDD86369-F085 applications of single MOSFETs transistors.
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 7.9 毫欧 @ 80A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2530 pF @ 40 V
最大功率耗散: 150W（Tj）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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