ON FDD770N15A
N 通道150 V18A（Tc）4V @ 250µA56.8W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
￥2.94
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesRDS(on) = 61mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A
Fast Switching Speed
Low Gate Charge
High-Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High Power and Current Handling Capability
RoHS Compliant
Applications
DC to DC Converters
Synchronous Rectification for Server Telecom PSU
Battery Charger
AC motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Off-line UPS
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 77 毫欧 @ 12A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 765 pF @ 75 V
最大功率耗散: 56.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
热门产品
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3