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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDD6796A
FDD6796A

ON FDD6796A

N 通道25 V20A（Ta），40A（Tc）3V @ 250µA3.7W（Ta），42W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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FDD6796A
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDD6782A is MOSFET N-CH 25V 20A DPAK manufactured by FAIRCHILD. The FDD6782A is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 25V 20A DPAK, N-Channel 25V 20A (Ta) 3.7W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252).

The FDD6796 is MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK manufactured by FSC. The FDD6796 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK, N-Channel 25V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252).

Features

PowerTrench® Series


  • Max ())=5.7 mQ at lD = 20 A and VGS = 10 V.

  • Max rQS(on) is 15.0 mQ at 4.5 V and ID is 15.2 A.

  • UlL testing is complete.

  • RoHS Compliant.



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Vcore DC-DC for Servers and Desktop Computers

  • Intermediate Bus Architecture with VRM


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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），40A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5.7 毫欧 @ 20A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1780 pF @ 13 V
最大功率耗散: 3.7W（Ta），42W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相似零件：0
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onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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