ON FDD4N60NZ
N 通道600 V3.4A（Tc）5V @ 250µA114W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
￥2.20
价格更新：2025-03-12博斯克质量保证
产品详情
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
Tape & Reel (TR) Package
RDS(on) = 1.9? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.7A
Low gate charge ( Typ. 8.3nC)
Low Crss ( Typ. 3.7pF)
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
ESD improved capability
RoHS compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: UniFET-II™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.5 欧姆 @ 1.7A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 510 pF @ 25 V
最大功率耗散: 114W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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