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FDB8880

ON FDB8880

N 通道30 V11A(Ta),54A(Tc)2.5V @ 250µA55W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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FDB8880
11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDB8874 is MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB manufactured by FAIRCHILD. The FDB8874 is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB, N-Channel 30V 21A (Ta), 121A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263AB, Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

The FDB8878 is MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK manufactured by FAIRCHILD. The FDB8878 is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK, N-Channel 30V 48A (Tc) 47.3W (Tc) Surface Mount TO-263.

Features

PowerTrench® Series


  • rDS(ON) = 14.5m|?, VGS = 4.5V, VD = 40V

  • rDS(ON) = 11.6m|?, VGS = 10V, VD = 40V

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(ON)

  • Low gate charge

  • High power and current handling capability

  • RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Cellular phones 

  • Laptop computers

  • Photovoltaic systems 

  • Wind turbines

  • Shunt voltage regulator and the series voltage regulator


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),54A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 11.6 毫欧 @ 40A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1240 pF @ 15 V
最大功率耗散: 55W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AB
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z