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FDB7045L

Fairchild FDB7045L

N 通道30 V100A(Tj)3V @ 250µA107W (Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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FDB7045L
N-CHANNEL POWER MOSFET
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

FDB7030BLS with pin details manufactured by FAI. The FDB7030BLS is available in TO263 Package, is part of the IC Chips.

FDB7042L with circuit diagram manufactured by FSC. The FDB7042L is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series
Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
100A (Tj) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5mOhm @ 50A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
58 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4357 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
107W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tj)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 4.5 毫欧 @ 50A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4357 pF @ 15 V
最大功率耗散: 107W (Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AB
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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