ON FDB045AN08A0
N 通道75 V19A（Ta），90A（Tc）4V @ 250µA310W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
￥28.20
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 80 A, 4.5 mΩThe latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features
PowerTrench® Series?Roson>=3.9 millimeters (Typ.) ID = 80 A @ Vgs=10 V
?Vgs = 10 V, Qgw = 92 nC (Typ.)
?Miller Charge is Low
?Body Diode with Low Qa
?Usability of UIS (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
?Atx/Server/Telecom PSU Synchronous Rectification
?Battery Protection Circuit (BPC) is a circuit that protects the battery
?Uninterruptible Power Supplies and Motor Drives
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Ta），90A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 4.5 毫欧 @ 80A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 6600 pF @ 25 V
最大功率耗散: 310W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK（TO-263）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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