Fairchild FDB035AN06A0
N 通道60 V22A（Ta），80A（Tc）4V @ 250µA310W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
￥19.34
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 mΩThe latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features
PowerTrench® SeriesLow Miller Charge
Low Qrr Body Diode
RDS(on) = 3.2m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
QG(tot) = 95nC (Typ.) @ VGS = 10V
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
Applications
Synchronous Rectification for ATX / Server I Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏极至源极电压 (Vdss): 60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 22A（Ta），80A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3.5 毫欧 @ 80A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 6400 pF @ 25 V
最大功率耗散: 310W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: D2PAK（TO-263）
包装 / 盒: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司，成立于1957年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案，2016年被ON Semiconductor收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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