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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STN2NE10L
STN2NE10L

ST STN2NE10L

N 通道100 V1.8A（Tc）3V @ 250µA2.5W（Tc）150°C（TJ）表面贴装型

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STMicroelectronics
STN2NE10L
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
STN2NE10L 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

STN2N10L with pin details manufactured by ST. The STN2N10L is available in SOT-223 Package, is part of the IC Chips.

The STN2NE10 is MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 manufactured by ST. The STN2NE10 is available in TO-261-4, TO-261AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223, N-Channel 100V 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223, Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R.

Features

STripFET™ Series


  • Exceptional dv/dt capability

  • Avalanche rugged technology

  • 100% avalanche tested

  • Low threshold drive

  • Drain current (continuous) at TC = 25??C: 1.8A



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Rotary Switch

  • DIP Switch

  • Limit Switch

  • Reed Switch

  • Rocker Switch

  • Toggle Switch


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产品属性
全选
型号系列: STripFET™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 400 毫欧 @ 1A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 345 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.5W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
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STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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