ST STL150N3LLH6
N 通道30 V150A（Tc）1V @ 250µA80W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较STL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
￥2.16
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VI SeriesHigh avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Very low on-resistance
Very low gate charge
On-resistance (RDS(ON))
Applications
Switching applications
Small motor control
Switch Mode Power Supplies (SMPS)
Power-Over-Ethernet (PoE)
Solar inverters
Automotive applications
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.4 毫欧 @ 16.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4040 pF @ 25 V
最大功率耗散: 80W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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