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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STL10N3LLH5
STL10N3LLH5

ST STL10N3LLH5

N 通道30 V9A（Tc）2.5V @ 250µA2W（Ta），50W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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STMicroelectronics
STL10N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
STL10N3LLH5 数据表(pdf)
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to an FOM that is among the best in its class.

Features

STripFET™ V Series


  • RDS(on)* Qgindustry benchmark

  • Extremely low on-resistance RDS(on)

  • Very low switching gate charge

  • High avalanche ruggedness

  • Low gate drive power losses



PowerFlat™ (3.3x3.3) Supplier Device Package

Applications


Switching applications

Automotive

Mechanical testing

Vibration analysis

Ultrasonic inspection


产品属性
全选
型号系列: STripFET™ V
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 19 毫欧 @ 4.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±22V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 900 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2W（Ta），50W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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