ST STH310N10F7-6
N 通道100 V180A（Tc）3.8V @ 250µA315W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
￥15.00
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VII Seriesa continuous drain current (ID) of 180A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 148 ns
a threshold voltage of 3.5V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STH310N10F7-6 applications of single MOSFETs transistors.
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
- DC-to-DC converters
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.5 毫欧 @ 60A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 12800 pF @ 25 V
最大功率耗散: 315W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-6
封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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