ON RFD12N06RLE
N 通道60 V18A（Tc）3V @ 250µA40W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
￥1.00
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
RFD10PO3 with pin details manufactured by FAIRCHILD. The RFD10PO3 is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.
RFD12N06REL with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The RFD12N06REL is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.
Features
UltraFET™ SeriesUltra-low on-state resistance
Available in the TO-251AA package
Temperature compensating PSPICE? and SABER? electrical model
Spice and SABER? thermal impedance models
Applications
Motor drives
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 63 毫欧 @ 18A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±16V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 485 pF @ 25 V
最大功率耗散: 40W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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