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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G

ON NTRV4101PT1G

P 通道20 V1.8A（Ta）1.2V @ 250µA420mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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onsemi
NTRV4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
NTRV4101PT1G 数据表(pdf)
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -20V, -3.2A, 85 mOhm, Single P-Channel, SOT23. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Leading ?20 V Trench for Low RDS(on)

  • ?1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive

  • SOT?23 Surface Mount for Small Footprint

  • NTRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

  • Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

  • These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Load/Power Management for Portables

  • Load/Power Management for Computing

  • Charging Circuits and Battery Protection


产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 675 pF @ 10 V
最大功率耗散: 420mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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