ON NTR5105PT1G
P 通道60 V196mA（Ta）3V @ 250µA347mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
￥0.25
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
196mA (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5Ohm @ 100mA, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
1 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
30.3 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
347mW (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Applications
Silicon optimized for applications
Trench Technology
Industry standard surface-mount power package
High-current carrying capability package
RoHS Compliant
NTR5105PT1G Applications
Small Signal Load Switch
Analog Switch
Small Signal Interface
运输
包装
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产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 196mA（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5 欧姆 @ 100mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 30.3 pF @ 25 V
最大功率耗散: 347mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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