ON NTR4101PT1G
P 通道20 V1.8A（Ta）1.2V @ 250µA420mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
￥0.10
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
20 V Drain to Source Voltage (Vdss)
1.8A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8V, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
85mOhm @ 1.6A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
8.5 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±8V Vgs (Max)
675 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420mW (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 675 pF @ 10 V
最大功率耗散: 420mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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