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NTP75N06G

ON NTP75N06G

N 通道60 V75A(Ta)4V @ 250µA2.4W(Ta),214W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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onsemi
NTP75N06G
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The NTP75N03L09G is MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB manufactured by ON. The NTP75N03L09G is available in TO-220-3 Package, is part of the IC Chips, , and with support for MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, N-Channel 30V 75A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB, Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube.

The NTP75N03RG is MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB manufactured by ON. The NTP75N03RG is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB, N-Channel 25V 9.7A (Ta) 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Through Hole TO-220AB.

Features

Tube Package


  • Pb?Free and are RoHS Compliant

  • Drain?to?Source Voltage:60V

  • NTBV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

  • AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

  • Drain Current ? Continuous @ TA = 25°C:75A



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Supplies

  • Converters

  • Power Motor Controls

  • Bridge Circuits

  • Audio amplifier


产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 9.5 毫欧 @ 37.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4510 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.4W(Ta),214W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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