ON NTMS4176PR2G
P 通道30 V5.5A（Ta）2.5V @ 250µA810mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NTMS4176PR2G
MOSFET P-CH 30V 5.5A 8SOIC
￥0.46
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
NTMS4117NR2 with pin details manufactured by KEXIN. The NTMS4117NR2 is available in SMD8 Package, is part of the IC Chips.
The NTMS4176P is MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC manufactured by ON. The NTMS4176P is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC.
Features
MOSFET (Metal Oxide) Technology?Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
?Low Capacitance to Minimize Driver Losses
?Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
?SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space
?This is a Pb-Free Device
Surface Mount Mounting Type
Applications
?Load Switches
?Notebook PC's
?Desktop PC's
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 18 毫欧 @ 9.6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1720 pF @ 24 V
最大功率耗散: 810mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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